IR LED

CE 10M/63VT HIT-EHR 5x11 RM2,5 AMMO

Kondenzátor elektrolytický radiální Standardní, 10uF/63V C = 10 uF U = 63 V Tol. = 20 % Rozměry = 5 x 11 mm RM = 2,5 mm Max. Teplota = 105 °C Balení =

IRF720

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 3,3 A, Vds = 400 V, Pd = 50 W, Rds = 1,8 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 3,3 A Uds = 400 V, Ugs = 20 V, Pd = 50 W, Rds = 1,8 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

Cuprextit 300x200x1,5 dvouvrstvý

Dvoustranný plošný spoj 300x200x1,5 mm, síla mědi CU 35 um, materiál dielektrika: cuprextit, -

MGA-64135

MMIC vf.zesilovac náhrada - 81563

16GB Kingston USB Data Traveler G3 modrý

16GB Kingston USB Data Traveler G3 modrý •čterní až 10 MB/sec. zápis až 5 MB/sec. (16 GB a 32 GB) •čterní až 5 MB/sec. zápis až 3 MB/sec. (2,4,8GB) •podrobná specifikace <http://www.kingston.com/ukroot/flash/dtig3.asp>

TIP35C

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 25 A, Pd = 125 W, pouzdro SOT93 Parametry: Ic = 25 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 125 W, h21E = 25, fT = 3 MHz, Pouzdro = SOT93

Brašna k osciloskopům TDS3xxx AC3000

brašna k osciloskopum TDS3xxx

QM 22,1184MHZ

Krystal HC49US, 22,1184 MHz Teplotní rozsah = -10..60 °C Frekvenční tolerance = 50 ppm Půdorys pouzdra = 11,35x5 mm Výška pouzdra = 3,6 mm Pouzdro: = HC49US

BD681 STM

Darlingtonův tranzistor NPN - Ic = 4 A, Pd = 40 W, pouzdro TO225 Parametry: Ic = 4 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 40 W, h21E = 750..10000, fT = - MHz, Pouzdro = TO225

CE 330M/25VIT PAN-FM 10x16 RM5

Kondenzátor elektrolytický radiální Low ESR, 330uF/25V C = 330 uF U = 25 V Tol. = 20 % Rozměry = 10 x 16 mm RM = 5 mm Max. Teplota = 105 °C Balení =

ATF-13484ATF

IRF740

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 10 A, Vds = 400 V, Pd = 125 W, Rds = 0,55 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 10 A Uds = 400 V, Ugs = 20 V, Pd = 125 W, Rds = 0,55 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

Q 29.4912MHZ

Krystal HC49U, 29,4912 MHz Teplotní rozsah = -10..60 °C Frekvenční tolerance = 30 ppm Půdorys pouzdra = 11,5x5 mm Výška pouzdra = 13,5 mm Pouzdro: = HC49U

BC560C

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,1 A Uce0 = 45 V, Ucb0 = 50 V, Pd = 0,625 W, h21E = 450..900, fT = 250 MHz, Pouzdro = TO92

TIP2955

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 15 A, Pd = 90 W, pouzdro TO218 Parametry: Ic = 15 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 90 W, h21E = 5..70, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO218

QO 20MHz Abund

krystal.oscil. 20MHz, CMOS/TTL, 100ppm, 0+70°C, DIL14 (kovové pouzdro)

F0920HS-8,5 WE

Teplem smršťovatelná bužírka, bal. na pásku, šíře 8,5-4,5mm, maximální provozní teplota 80°C, barva bílá, VO dodává jen balení 100m

F0920HS-15 BK

Teplem smršťovatelná bužírka, bal. na pásku, šíře 15-5,8mm, maximální provozní teplota 80°C, barva černá, VO dodává jen balení 100m