IGBT tranzistory - NPN
-
IRG4PC50W
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 55 A, Uce = 600 V, Pd = 200 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 55 A Ic puls = 220 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 200 W, Ton/off = 46/120 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-204
154 Kč -
IRG4PC40W
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 40 A, Uce = 600 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 40 A Ic puls = 160 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 27/100 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-217
84,50 Kč -
IRG4PH40U
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 41 A, Uce = 1200 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 41 A Ic puls = 82 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 24/220 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-293
103 Kč -
IRG4BC20U
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 13 A, Uce = 600 V, Pd = 60 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 13 A Ic puls = 52 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 60 W, Ton/off = 21/86 ns, Pouzdro = TO220AB
kód: 213-174
54,80 Kč -
IRG4BC30K
IGBT tranzistor, Provedení: SMD , Ic = 28 A, Uce = 600 V, Pd = 100 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 28 A Ic puls = 58 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 100 W, Ton/off = 26/130 ns, Pouzdro = TO220AB
kód: 213-175
51,60 Kč -
SGP07N120
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16,5 A, Uce = 1200 V, Pd = 125 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 16,5 A Ic puls = 27 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 125 W, Ton/off = 27/440 ns, Pouzdro = TO220
kód: 213-283
55 Kč -
IKW25T120
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 50 A, Uce = 1200 V, Pd = 190 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 50 A Ic puls = 75 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 190 W, Ton/off = 50/560 ns, Pouzdro = TO247
kód: 213-028
133 Kč
-
IRG4PC40W
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 40 A, Uce = 600 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 40 A Ic puls = 160 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 27/100 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-217
84,50 Kč -
IRG4PC50W
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 55 A, Uce = 600 V, Pd = 200 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 55 A Ic puls = 220 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 200 W, Ton/off = 46/120 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-204
154 Kč -
HGTG30N60A4
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 75 A, Uce = 600 V, Pd = 463 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 75 A Ic puls = 240 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 463 W, Ton/off = 25/150 ns, Pouzdro = TO247
kód: 213-261
236 Kč -
IRG4BC30K
IGBT tranzistor, Provedení: SMD , Ic = 28 A, Uce = 600 V, Pd = 100 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 28 A Ic puls = 58 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 100 W, Ton/off = 26/130 ns, Pouzdro = TO220AB
kód: 213-175
51,60 Kč -
IRG4PH40U
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 41 A, Uce = 1200 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 41 A Ic puls = 82 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 24/220 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-293
103 Kč -
IKW25T120
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 50 A, Uce = 1200 V, Pd = 190 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 50 A Ic puls = 75 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 190 W, Ton/off = 50/560 ns, Pouzdro = TO247
kód: 213-028
133 Kč -
SGW30N60
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 41 A, Uce = 600 V, Pd = 250 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 41 A Ic puls = 112 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 250 W, Ton/off = 44/291 ns, Pouzdro = TO247AC
kód: 213-238
86,60 Kč -
SGP07N120
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16,5 A, Uce = 1200 V, Pd = 125 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 16,5 A Ic puls = 27 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 125 W, Ton/off = 27/440 ns, Pouzdro = TO220
kód: 213-283
55 Kč -
IRG4BC20U
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 13 A, Uce = 600 V, Pd = 60 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 13 A Ic puls = 52 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 60 W, Ton/off = 21/86 ns, Pouzdro = TO220AB
kód: 213-174
54,80 Kč -
IRG4BC20KD
IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16 A, Uce = 600 V, Pd = 60 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 16 A Ic puls = 32 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 60 W, Ton/off = 54/180 ns, Pouzdro = TO220AB
kód: 213-222
54,70 Kč
-
Kód:
213-326Informujte se na aktuální cenu.IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 101 A, Uce = 900 V, Pd = 543 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 101 A Ic puls = 160 A Uce = 900 V, Uge = 30 V, Pd = 543 W, Ton/off = 14/90 ns, Pouzdro = TO247
-
Objednat 236 KčKód:
213-261IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 75 A, Uce = 600 V, Pd = 463 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 75 A Ic puls = 240 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 463 W, Ton/off = 25/150 ns, Pouzdro = TO247
-
Kód:
213-288Informujte se na aktuální cenu.IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 30 A, Uce = 1200 V, Pd = 110 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 30 A Ic puls = 45 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 110 W, Ton/off = 50/520 ns, Pouzdro = TO247
-
Objednat
133 KčKód:
213-028IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 50 A, Uce = 1200 V, Pd = 190 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 50 A Ic puls = 75 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 190 W, Ton/off = 50/560 ns, Pouzdro = TO247
-
Kód:
213-325Informujte se na aktuální cenu.IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 80 A, Uce = 600 V, Pd = 428 W, pouzdro TO247 Parametry: Ic = 80 A Ic puls = 225 A Uce = 600 V, Uge = 15 V, Pd = 428 W, Ton/off = 33/330 ns, Pouzdro = TO247
-
Objednat 54,70 KčKód:
213-222IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16 A, Uce = 600 V, Pd = 60 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 16 A Ic puls = 32 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 60 W, Ton/off = 54/180 ns, Pouzdro = TO220AB
-
54,80 KčKód:
213-174IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 13 A, Uce = 600 V, Pd = 60 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 13 A Ic puls = 52 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 60 W, Ton/off = 21/86 ns, Pouzdro = TO220AB
-
51,60 KčKód:
213-175IGBT tranzistor, Provedení: SMD , Ic = 28 A, Uce = 600 V, Pd = 100 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 28 A Ic puls = 58 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 100 W, Ton/off = 26/130 ns, Pouzdro = TO220AB
-
Kód:
213-295Informujte se na aktuální cenu.IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 23 A, Uce = 600 V, Pd = 100 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 23 A Ic puls = 92 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 100 W, Ton/off = 40/91 ns, Pouzdro = TO220AB
-
84,50 KčKód:
213-217IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 40 A, Uce = 600 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 40 A Ic puls = 160 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 27/100 ns, Pouzdro = TO247AC
-
154 KčKód:
213-204IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 55 A, Uce = 600 V, Pd = 200 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 55 A Ic puls = 220 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 200 W, Ton/off = 46/120 ns, Pouzdro = TO247AC
-
103 KčKód:
213-293IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 41 A, Uce = 1200 V, Pd = 160 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 41 A Ic puls = 82 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 160 W, Ton/off = 24/220 ns, Pouzdro = TO247AC
-
1 000 KčKód:
213-320IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 150 A, Uce = 1200 V, Pd = 660 W, pouzdro SOT227 Parametry: Ic = 150 A Ic puls = 190 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 660 W, Ton/off = 100/650 ns, Pouzdro = SOT227
-
55 KčKód:
213-283IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16,5 A, Uce = 1200 V, Pd = 125 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 16,5 A Ic puls = 27 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 125 W, Ton/off = 27/440 ns, Pouzdro = TO220
-
Objednat 86,60 KčKód:
213-238IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 41 A, Uce = 600 V, Pd = 250 W, pouzdro TO247AC Parametry: Ic = 41 A Ic puls = 112 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 250 W, Ton/off = 44/291 ns, Pouzdro = TO247AC
- Mechanické konstrukční komponenty Spojovací materiál Kabelové vývodky, průchodky, záslepky Přístrojové knoflíky, Hmatníky, Osy Štítky, Značky Držáky, Upevňovací prvky
- Integrované obvody Logické IO, PLD Mikroprocesory, Procesory Specializované obvody Optočleny, Izolační oddělovače Rozhraní pro průmyslové sběrnice
- Domácnost Dekorace, ozdoby Domovní zvonky Hodiny, Teploměry, Meteorologické stanice
-
Doprodej
BC489
2,80 KčBipolární NPN tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,6 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,6 W, h21E = 60-400, fT = 200 MHz, Pouzdro = TO92
-
Objednat
BL01RN1A1D2B
4,40 KčŠirokopásmová tlumivka (feritová perla s vodičem) Z 55 Ohm/ 50 MHz, Imax 7 A, rozměry 3,6x5 mm, typ: BL01RN1A1D2B Murata -40..+85°C. Použití jako interferenční filtr v napájecích přívodech.
-
Stahovací pásek se suchým zipem KSS 0350 - MGT180BK, černá
16,40 KčStahovací pásek se suchým zipem Barva: Černá Délka: 180mm Šířka: 12mm Materiál: Měkké PVC Provozní teplota: 80°C Použití: Izolace a upevnění vodičů a kontaktů - upevnění pomocí stlačení
-
Komunikační modul TDS2MM
36 000 Kčkomunikacní modul RS232, Centronix, GPIB + mericí funkce FFT, merení hran a šírky pulzu
-
Doprodej
TIP146
39,80 KčDarlingtonův tranzistor PNP - Ic = 10 A, Pd = 125 W, pouzdro TO3P Parametry: Ic = 10 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 125 W, h21E = 500-1000, fT = - MHz, Pouzdro = TO3P
-
BC639
1,60 KčBipolární NPN tranzistor - Ic = 1 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 1 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 40..250, fT = 200 MHz, Pouzdro = TO92
-
Objednat
BUV48
105 KčBipolární NPN tranzistor - Ic = 15 A, Pd = 125 W, pouzdro TO218 Parametry: Ic = 15 A Uce0 = 450 V, Ucb0 = 450 V, Pd = 125 W, h21E = 5..20, fT = MHz, Pouzdro = TO218
-
IRFD9120
18,70 KčUnipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 1 A, Vds = 100 V, Pd = 1,3 W, Rds = 6 Ohm, pouzdro HEXDIP Parametry: Idss = 1 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 1,3 W, Rds = 6 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = HEXDIP
-
F-TME T-METAL
3 680 KčTME je teploměr s rozhraním Ethernet (IP teploměr), který připojíte přímo do počítačové sítě. Má vnitřní webové stránky s aktuální teplotou. Umí protokoly TCP, SNMP, SMTP (e-mail), MODBUS TCP a XML. Teplotu snadno vložíte na Vaše stránky díky funkci HTTP GET. Ethernetový teploměr TME měří teplotu od -55°C do +125°C. Konfigurace přes webové rozhraní.Délka kabelu 3m.
-
IRF7220
16,30 KčUnipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: SMD, Idss = 11 A, Vds = 14 V, Pd = 2,5 W, Rds = 0,012 Ohm, pouzdro SO8 Parametry: Idss = 11 A Uds = 14 V, Ugs = 12 V, Pd = 2,5 W, Rds = 0,012 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = SO8
-
Objednat
CE 2,2M/63VT HIT-EMR 4x7 RM1,5 AMMO
1 KčKondenzátor elektrolytický radiální Standardní, 2,2uF/63V C = 2,2 uF U = 63 V Tol. = 20 % Rozměry = 4 x 7 mm RM = 1,5 mm Max. Teplota = 105 °C Balení = AMMO
-
QM 24.000MHZ
10,90 KčKrystal HC49US, 24 MHz Teplotní rozsah = -10..60 °C Frekvenční tolerance = 50 ppm Půdorys pouzdra = 11,35x5 mm Výška pouzdra = 3,6 mm Pouzdro: = HC49US
-
Generátor funkcí MATRIX MFG-8250B
4 820 KčGenerátor funkcí MATRIX 5MHz s měřením kmitočtu 100MHz Vlastnosti: 50 Ohm hlavní výstup signálu s nastavením vztažné úrovně a funkcí zesílení 20 dB druhý výstup pro signály TTL nebo CMOS řízení střídy průběhu s možností její inverze průběhy s malým zkreslením (sinusovka, trojúhelník a obdélník) vestavěný měřič kmitočtu přelaďování kmitočtu externím napětím čítač kmitočtu výkonový výstup 4 W, <100 kHz typ zobrazovače LED 6místný Amplituda 10 Vpp (při zátěži 50 Ohm) Zeslabení -20 dB ± 1 dB x 2 Impedance 50 Ohm Tolerance impendance ±10% Nastavení střídy 80%:20%:80% při 1MHz Zkreslení sinusového průběhu 1%, 0,3 Hz-200 kHz Vstupní impedance 1 MOhm Výstup CMOS 4 Vpp?±1 Vpp - 14,5 Vpp ± 0,5 Vpp Výstup TTL 3 Vpp Nastavení kmitočtu napětím (VCF) 0-10 V ± 1V (100:1), impedance 10 kOhm Spouštění časové základny 0,5...30 s Rozměry 91 x 251 x 291 mm Hmotnost 2,2 kg Zdroj napájení 115/230 VAC ±15%, 50/60 Hz Příslušenství: 2 měřicí šňůry s konektorem BNC; napájecí kabel
-
Sada smršťovacích bužírek K/STMC2B
165 KčSada smešťovacích bužírek délky 100mm Průměry - 1mm - 60x 2mm - 40x 3mm - 30x 4,5mm - 20x 6mm - 10x 9mm - 10x
-
MJ11015
108 KčDarlingtonův tranzistor PNP - Ic = 30 A, Pd = 200 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 30 A Uce0 = 120 V, Ucb0 = 120 V, Pd = 200 W, h21E = 500..6000, fT = 4 MHz, Pouzdro = TO3
